가연성 가스 검지법의 원리는 전기저항이 온도에 비례하는 성질을 이용한 것이다. 백금선 등으로 코일상의 필라멘트를 만들어 여기에 미리 일정한 전류를 통하여 적당한 온도로 가열하고, 여기에 가연성 가스를 공기 중의 산소와 반응시키면, 이 과정에서 생기는 반응열은 가연성 가스의 농도에 따라 비례한다. 이 반응에 의하여 필라멘트의 온도는 상승하고 전기저항이 커지므로 이 저항의 변화로 혼합가스 중의 가연성 가스 농도를 알 수 있다. 가연성 가스의 검지방법에는 접촉 연소법, 광파 간섭법, 열전도법, 적외선 흡수법, 반도체법 등이 있다.

1. 접촉연소식 가스검출법: 가연성가스를 포함한 공기가 촉매로 활성된 표면을 갖는 백금선에 접촉하면 촉매작용에 의해 가연성가스와 산소가 반응(연소)하고 반응열(연소열)이 발생한다. 열로 인해 예열된 백금선의 온도는 더욱 상승하고 백금선의 저항치는 증대한다. 백금선의 저항치 변화는 공기 중의 가연성가스 농도에 비례하는데, 이 변화를 전기신호로 변화시켜 값을 취하고 일정한 값을 초과하는 경우에 경보를 발하게 된다. 백금선의 저항치 변화를 전기신호로 변환하기 위해서는 아래 그림과 같은 브리지 회로가 이용되고 있다. D는 검지소자로서 촉매 활성체를 포함한 백금선이고, C는 보상소자로서 촉매 불활성체를 포함한 백금선이다. 전원 E에서 각 소자에 전류가 흐르면 D와 C는 가열된다. 이 브리지 주변 온도의 변동, 전원 E의 전압, 전류의 변동, 기류 등에 의해 평형이 흐트러짐을 보상하기 위하여 보상소자 C가 이용되고 있다. 따라서, 보상소자 C는 촉매 불활성체 외에는 열용량, 방열계수, 저항온도계수는 검지소자 D와 같은 특성이 있다. 공기 중에 가연성 가스가 존재하면 검지소자에서 접촉연소가 일어나고 브리지의 평형이 흐트러져 출력전압이 발생한다.

2. 반도체식 가스 검출방식: 반도체식 센서는 소결체형(산화물) 반도체식, 열선형 반도체식, 박막형 반도체식의 세 종류가 있다. 이 중 국내에서 주로 사용되고 있는 것은 소결체형(산화물) 반도체이다. 소결체형 반도체식은 금속산화물 표면에서 가스흡착에 의해 전기전도의 변화를 측정하는 가스센서로서 금속산화물 SnO2의 n형 반도체(negative type semi-conductor)의 소결체 내부에 두 개의 백금 합금선(Pt-Ir) 코일을 내장하고 있어 그 중 한 개의 코일에 전압을 걸어 350℃로 가열한 상태에서 가연성 가스가 접촉하면 흡착현상에 의해 반도체 부분의 전도도가 변화하게 된다. 이러한 특성을 이용하여 가스 누출을 검출하게 되며 출력전압은 가스 농도가 증가함에 따라 대수적으로 변화한다.